张进成，博士，二级教授，博士生导师，教育部长江学者特聘教授，领军人才，卓越青年基金获得者，国务院政府特殊津贴专家，陕西省三秦学者特聘教授。现任西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任，曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席，微电子学院副院长，科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专着3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。曾获国家杰出青年基金获得者（2019年）、国家万人计划领军人才（2019年）、科技部中青年科技创新领军人才（2018年）、教育部长江学者特聘教授（2016年）、国务院政府特殊津贴专家（2016年）、陕西省重点科技创新团队负责人（2017年）、陕西省三秦学者特聘教授（2016年）、陕西省三五人才（2010年）、陕西省青年科技新星（2010年）等。